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1,输出电压4V(4V给输出视频信号,2V给电晶体温度变化)
2,T1的发射机在保证信号不失真的情况下应当尽量降低工作
点的电流!但是决不是越低越好太
参考电压 Vref 和反馈电压 FB(VOUT 通过两个电阻分压)分别接在误差放大器的反向和正向端,然后输出误差量,再通过 MOS drive 调整输出电压大小,达到输出稳定。
当输出电压增大时,FB 增大,放大器输出电压增加,PMOS 管的 G 极电压增大,Usg 减小,PMOS 的输出电流和电压较小,形成了一个负反馈系统。
LDO 基本参数解释:
1、输入电压:规定设计输入电源范围。
2、静态功耗:输出电流为 0 时的输入电流,即 VOUT 空载时输入电流。
3、关闭功耗:使能脚拉低,VOUT=0V 时,VIN 上消耗的电流即为关闭功耗。
4、电源纹波抑制比:这个参数越大越好,代表抑制输入纹波的能力越强。
5、输出电流:设计时预留 50%的余量,实际运用过程中,输出电流的大小和输入输出电压都有关系。
6、输出电压:分为可调和固定,根据实际情况选择在,一般最好选择固定的。
7、输出电压精度:一般是 2%,还有 5%的。
8、耗散功率:使用时 LDO 的消耗的功耗不能超过这个值,否则 LDO 可能会损坏。
9、地电流:指的是输入电流和输出电流的差值。
采用齐纳二极管的低成本供电系统
这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压器方案。
可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本3.3V稳压器,如图2-1所示。在很多应用中,该电路可以替代LDO稳压器并具成本效益。但是,这种稳压器对负载敏感的程度要高于LDO稳压器。另外,它的能效较低,因为R1和D1始终有功耗。
R1限制流入D1和PICmicro? MCU的电流,从而使VDD保持在允许范围内。由于流经齐纳二极管的电流变化时,二极管的反向电压也将发生改变,所以需要仔细考虑R1的值。
R1的选择依据是:在最大负载时——通常是在PICmicro MCU运行且驱动其输出为高电平时——R1上的电压降要足够低从而使PICmicro MCU有足以维持工作所需的电压。同时,在最小负载时——通常是PICmicro MCU复位时——VDD不超过齐纳二极管的额定功率,也不超过PICmicro MCU的最大VDD。
另一种是导通晶体管
在选择LDO时,重要的是要知道如何区分各种LDO。器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。根据具体应用来确定各种参数,将会得到最优的设计。
LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流IGND。IGND是LDO用来进行稳压的电流。当IOUT>>IQ时,LDO的效率可用输出电压除以输入电压来近似地得到。然而,轻载时,必须将IQ计入效率计算中。具有较低IQ的LDO其轻载效率较高。轻载效率的提高对于LDO性能有负面影响。静态电流较高的LDO对于线路和负载的突然变化有更快的响应。
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