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三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型电晶体,晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。接下来我为大家介绍三极管的作用及三极管工作原理。
三极管的作用
1、电流放大
三极管的作用之一就是电流放大，这也是其最基本的作用。以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍，β被叫做三极管的电流放大系数。将输入的微弱信号扩大β倍后输出，这便是三极管的电流放大作用。
2、用作开关
三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，
其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。3、扩流
三极管的作用之三就是扩流作用，在某些情况下，可扩大电流限值或电容容量等。比如：将小功率可控矽与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控矽，扩大了最大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。
4、代换
三极管的作用之四就是代换作用，在一定情况下与某些电子元器件相结合可代换其它器件，完成相应功能。比如：两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发二极体;在某些电路中，三极管可以代换8V的稳压管，代换30V的稳压管等等。
三极管工作原理
三极管按材料差异可以分为：锗管三极管和矽管三极管两种，每一种有NPN和PNP两种结构形式，现在市面上使用最为广泛的为：锗PNP和矽NPN两种三极管，那么什么是三极管呢？N表示在高纯度矽中加入适当磷，在电压 *** 下三极管产生自由电子导电，p指的是加入硼取代矽，产生大量空穴利于导电。这两种三极管除电源极性存在差异外，其工作原理都是相同的，对于NPN三极管，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，集电区与基区形成的PN结称之为集电结。
三极管的分类
1、按材质分: 矽管、锗管
2、按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。
3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
4、按功率分：小功率管、中功率管、大功率管
5、按工作频率分：低频管、高频管、超频管
6、按结构工艺分：合金管、平面管
7、按安装方式:外挂程式三极管、贴片三极管
1、截止状态：当三极管基极没有电流时，无论集电极和发射极之间施加何种电压，基极到发射极的PN结都不会导通，三极管处于截止状态。此时，集电极和发射极之间的电压基本保持不变。
2、放大状态：当三极管基极有适当的电流时，集电极和发射极之间的电压会发生微小的变化。这种变化是由于基极电流引起的，因此三极管处于放大状态。在放大状态下，三极管的电流放大倍数取决于其结构参数和外部条件。
3、饱和状态：当三极管基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增加而增加，三极管进入饱和状态。此时，集电极和发射极之间的电压下降，集电极电流不再随基极电流的增加而增加。
4、在判断三极管的工作状态时，通常通过测量其集电极、发射极和基极之间的电压和电流来判断。例如，在放大状态下，基极电流和集电极电流成比例增加，而集电极和发射极之间的电压保持稳定。
5、还可以通过观察电路中其他元件的变化来判断三极管的工作状态。例如，当三极管处于放大状态时，其输出电压与输入电压成比例增加；当三极管处于饱和状态时，其输出电压不再随输入电压的增加而增加。
1、放大信号：三极管最基本的功能是放大信号。在电子电路中，往往需要将微弱的信号放大到足够驱动后续电路的程度。三极管通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大，从而实现信号的放大。这种放大功能使得三极管在音频放大、视频放大、通信等领域有着广泛的应用。
2、开关作用：通过控制基极电流，可以控制集电极和发射极之间的导通和截止。当三极管处于饱和状态时，集电极和发射极之间的电压非常低，相当于一个导通的开关；而当三极管处于截止状态时，集电极和发射极之间的电压非常高，相当于一个断开的开关。
3、振荡作用：三极管还可以用于产生振荡信号。通过适当的设计和调节，三极管可以在一定范围内产生振荡信号。这种振荡信号可以用于产生时钟信号、振荡器等，为电子电路提供稳定、可靠的时钟源。
4、稳压作用：在某些情况下，三极管还可以起到稳压的作用。例如，在稳压电源中，通过调节三极管的基极电流，可以控制输出电压的稳定。这种稳压作用使得三极管在电源电路中有着广泛的应用。
截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）
放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；
饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。
你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。
这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。
截止状态：Ueb<0.7V； （如果是锗管则Ueb<0.3V）
放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；
饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。
图（h）中，三极管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。
这样，如果是硅管，则 Ueb<0.7V，三极管是截止状态；如果是锗管，则 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三极管是放大状态。
扩展资料：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）
双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管
放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
参考资料：百度百科-三极管
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